Создано в России

                                                                                                                   

Специалисты Sharp сумели увеличить эффективность преобразования энергии в фотогальваническом элементе до 35,8%.

По данным японской компании, это значение является рекордом в классе элементов, не использующих концентраторы солнечного излучения. Новый фотоэлемент составлен из трех полупроводниковых слоев. Чаще всего нижний слой в подобных конструкциях делают германиевым, поскольку это упрощает производство. В то же время германий не позволяет добиться высокой эффективности; японские инженеры отказались от этого материала, заменив его арсенидом индия-галлия InGaAs. 

Сформировав слой InGaAs с высокой степенью кристалличности (упорядоченности структуры), разработчики расположили поверх него слои арсенида галлия GaAs и фосфида индия-галлия InGaP. В результате эффективность преобразования энергии, которая в предыдущих моделях элементов Sharp составляла 31,5%, повысилась до 35,8%.                

Фотогальванический элемент с рекордно высокой эффективностью преобразования энергии(рис.). 

Подготовлено по материалам Sharp.